美国GPD低偏振损耗 InGaAs 光电二极管
偏振敏感应用
低PDL的InGaAs光电二极管设计用于稳定的光学检测，对光偏振变化的敏感度极低。

Name: 美国GPD低偏振损耗 InGaAs 光电二极管N17P30-XX
Brand: 其他品牌
Price: 562 CNY
Availability: InStock

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美国GPD低偏振损耗 InGaAs 光电二极管

美国GPD低偏振损耗 InGaAs 光电二极管

偏振敏感应用

低PDL的InGaAs光电二极管设计用于稳定的光学检测，对光偏振变化的敏感度极低。

通过减少偏振依赖损耗，它们在变化的偏振状态中保持响应度一致，从而在偏振控制有限的系统中提高测量精度。

这些光电二极管基于InGaAs技术，工作在近红外波段，广泛应用于光纤、传感和仪器应用。其低偏振依赖性最大限度地减少了光纤耦合系统、干涉测量装置及其他精密光学测量中的信号波动。

这些设备常用于光学通信、激光功率监测、光谱学以及测试测量等领域。多种封装和配置选项使得能够直接集成到需要稳定、极化无关性能的系统中。

参数名称	型号 N17P30-XX	型号 N17P50-XX	型号 N17P100-XX	型号 N17P150-XX	型号 N17P200-XX	型号 N17P300-XX	型号 N17P500-XX	单位
光敏面直径	0.3	0.5	1.0	1.5	2	3	5	mm
峰值波长（典型值）	1.6 ± 0.1	1.6 ± 0.1	1.6 ± 0.1	1.6 ± 0.1	1.6 ± 0.1	1.6 ± 0.1	1.6 ± 0.1	μm
截止波长（50% 响应点）	1.7 ± 0.1	1.7 ± 0.1	1.7 ± 0.1	1.7 ± 0.1	1.7 ± 0.1	1.7 ± 0.1	1.7 ± 0.1	μm
峰值波长响应度（最小值 / 典型值）	0.9/1.0	0.9/1.0	0.9/1.0	0.9/1.0	0.9/1.0	0.9/1.0	0.9/1.0	A/W
并联电阻（最小值）	250	125	50	40	30	8	1.5	MΩ
暗电流（典型值）	1 @ 5V	6 @ 5V	25 @ 5V	50 @ 5V	50 @ 1V	200 @ 1V	200 @ 0.1V	nA
电容（典型值，@ 5V）	4	8	30	75	300 @ 0V	600 @ 0V	1800 @ 0V	pF
带宽（50Ω 负载，@ 0V）	800	400	106	44	10 @ 0V	5 @ 0V	2 @ 0V	MHz
上升时间（50Ω 负载，@ 5V）	0.4	0.9	3.3	8	33 @ 0V	66 @ 0V	200 @ 0V	ns
偏振相关损耗（@ 0V，典型值 / 最大值）	5/10	5/10	5/10	5/10	5/10	5/10	5/10	mdB
噪声等效功率（峰值波长，典型值，@ 0V）	8 × 10⁻¹⁵	11 × 10⁻¹⁵	18 × 10⁻¹⁵	20 × 10⁻¹⁵	23 × 10⁻¹⁵	45 × 10⁻¹⁵	104 × 10⁻¹⁵	W/Hz¹/²
线性度（± 0.2 dB，@ 0V）	6	6	6	6	6	6	6	dBm
封装形式	TO-46 带窗盖帽	TO-46 带窗盖帽	TO-46 带窗盖帽	TO-46 带窗盖帽	TO-5 带窗盖帽	TO-5 带窗盖帽	TO-5 带窗盖帽	-

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