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更新时间：2026-05-20 
浏览次数：21GPD的四边光电二极管是光学探测器，设计用于在大活动区域内连续、无间隙地定位感测。
采用四边光电二极管结构，将入射光转换为精确的X和Y位信号，非常适合精确的光束跟踪、对准和运动监测。其大面积的传感区域和宽广的光谱响应支持在高要求的光学系统中稳定、高分辨率的测量。
这些传感器非常适合光束对准、光学计量和二维位置传感等需要平滑连续跟踪的应用。通过消除分段探测器中存在的死区，四边位置传感器使得小波束或移动波束能够可靠地跟踪且不损失准确性，支持实验室仪器和工业校准应用。
最多可覆盖10 x 10毫米的探测范围
800nm至1700nm的光谱响应
四侧性 PSD
二维位置感测
梁对准
线性位置感测——InGaAs和Ge光电二极管，允许在较长线性距离（最长20毫米）内进行束流位置/感测
| 参数项 | 数值 |
|---|---|
| 探测器材料 | 锗 |
| 工作区域 | 10 毫米 × 10 毫米 |
| 线性区域 | 4.5 × 4.5 毫米 |
| 工作波长 | 750-1620 纳米 |
| 标准封装 | TO-9 5 引脚 |
| 窗口材料 | 蓝宝石 |
| 标准窗口厚度 | 0.0225" ± 0.005" |
| 窗口折射率 | 1.754（标称值 @ 1064 nm）1.745（标称值 @ 1550 nm） |
| 参数项 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 响应度 | Rλ | 0.18 | 0.20 | - | 安培 / 瓦特 | λ=850 纳米（单接触点） |
| 响应度 | Rλ | 0.65 | 0.7 | - | 安培 / 瓦特 | λ=1330 纳米（单接触点） |
| 响应度 | Rλ | 0.75 | 0.85 | - | 安培 / 瓦特 | λ=1550 纳米（单接触点） |
| 电极间电阻 | RIE | 80 | 100 | 120 | 欧姆 | 测量至相邻阴极的电阻 |
| 分流电阻 | Rs | 2 | 4 | - | 千欧 | VR = 10 mV |
| 暗电流 | ID | - | - | 100 | 微安 | VR = 0.3 V |
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