美国GPD扩展InGaAs光电二极管N19S30-XX技术参数-湖南中崎科技有限公司

美国GPD扩展InGaAs光电二极管N19S30-XX技术参数

更新时间：2026-05-19

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这些光电二极管常用于气体传感、光谱学、环境监测和工业过程控制，这些领域需要获得更长的近红外吸收特性。与更复杂的中红外探测器技术相比，它们在波长范围、性能和成本之间提供了实用的平衡。

特色

芯片活性直径范围为0.3毫米至3毫米。
扩展截止波长（1.9微米、2.05微米、2.2微米和2.6微米）
高分流电阻
多窗户和多镜头选项
包裹（TO-46、TO-18或TO-5）
提供热电冷却选项

应用

气体感应
碳氢化合物感测
火焰与火花检测
FTIR
光谱学
短波红外光检测

光/电子特性 @ 23oC ± 2oC
部件编号	频谱响应范围	感光区	峰值灵敏度波长（类型）	Responsivity @ λp （min./max.）	电容 @ 0V（类型）	暗流（最大）	封装类别
N19S30-XX	1.0 – 1.9微米	0.3毫米	1.75微米	0.9/1.0 A/W	60pF	0.1μA @ 1V	TO-46，TO-18
N19S50-XX	1.0 – 1.9微米	0.5毫米	1.75微米	0.9/1.0 A/W	200pF	0.9μA @ 1V	TO-46、TO-18、LCC-6
N19S100-XX	1.0 – 1.9微米	1.0毫米	1.75微米	0.9/1.0 A/W	600pF	4μA @ 1V	TO-46、TO-18、TO-5、LCC-6
N19S200-XX	1.0 – 1.9微米	2.0毫米	1.75微米	0.9/1.0 A/W	3000pF	10μA @ 1V	TO-5，LCC-6
N19S300-XX	1.0 – 1.9微米	3.0毫米	1.75微米	0.9/1.0 A/W	6750pF	22.5μA @ 0.5V	TO-5，LCC-28
N21S30-XX	1.0 – 2.1微米	0.3毫米	1.9微米	0.9/1.0 A/W	80pF	0.5μA @ 1V	TO-46，TO-18
N21S50-XX	1.0 – 2.1微米	0.5毫米	1.9微米	0.9/1.0 A/W	250pF	1μA @ 1V	TO-46、TO-18、LCC-6
N21S100-XX	1.0 – 2.1微米	1.0毫米	1.9微米	0.9/1.0 A/W	500pF	4μA @ 1V	TO-46、TO-18、TO-5、LCC-6
N21S200-XX	1.0 – 2.1微米	2.0毫米	1.9微米	0.9/1.0 A/W	1600pF	10μA @ 1V	TO-5，LCC-6
N21S300-XX	1.0 – 2.1微米	3.0毫米	1.9微米	0.9/1.0 A/W	4000pF	12μA @ 0.5V	TO-5，LCC-28
N22S30-XX	1.0 – 2.3微米	0.3毫米	2.0微米	0.9/1.0 A/W	90pF	1μA @ 1V	TO-46，TO-18
N22S50-XX	1.0 – 2.3微米	0.5毫米	2.0微米	0.9/1.0 A/W	275pF	5μA @ 1V	TO-46、TO-18、LCC-6
N22S100-XX	1.0 – 2.3微米	1.0毫米	2.0微米	0.9/1.0 A/W	1000pF	10μA @ 1V	TO-46、TO-18、TO-5、LCC-6
N22S200-XX	1.0 – 2.3微米	2.0毫米	2.0微米	0.9/1.0 A/W	4000pF	40μA @ 1V	TO-5，LCC-6
N22S300-XX	1.0 – 2.3微米	3.0毫米	2.0微米	0.9/1.0 A/W	8000pF	100μA @ 1V	TO-5，LCC-28
N26S30-XX	1.0 – 2.6微米	0.3毫米	2.0微米	0.9/1.0 A/W	100pF	13μA @ 1V	TO-46，TO-18
N26S50-XX	1.0 – 2.6微米	0.5毫米	2.0微米	0.9/1.0 A/W	270pF	20μA @ 0.5V	TO-46、TO-18、LCC-6
N26S100-XX	1.0 – 2.6微米	1.0毫米	2.0微米	0.9/1.0 A/W	1000pF	80μA @ 0.5V	TO-46、TO-18、TO-5、LCC-6
N26S200-XX	1.0 – 2.6微米	2.0毫米	2.0微米	0.9/1.0 A/W	4400pF	320μA @ 0.5V	TO-5，LCC-6
N26S300-XX	1.0 – 2.6微米	3.0毫米	2.0微米	0.9/1.0 A/W	10000pF	500μA @ 0.5V	TO-5，LCC-28

美国GPD扩展InGaAs光电二极管N19S30-XX技术参数

特色

应用

光/电子特性 @ 23oC ± 2oC