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美国GPD高速InGaAs光电二极管
美国GPD高速InGaAs光电二极管
InGaAs光电二极管广泛用于近红外（NIR）波长的探测。与锗探测器相比，InGaAs器件具有显著更高的分流阻和更低的暗电流，非常适合灵敏测量和其他低噪声应用。
高速InGaAs光电二极管提供快速响应时间、高量子效率和近红外光谱优异的线性表现。这些特性使其非常适合光纤通信、光谱学、光学传感和激光功率监测等要求的应用，这些领域需要对低电平信号的准确、稳定检测。
芯片直径从60微米到300微米不等。
850 nm 至 1700 nm 的光谱响应
低暗电流用于高灵敏度
低电容以支持高速（最高可达2.5 GHz，视封装而定）
包装种类繁多：TO封装、纤维双接线、陶瓷子装芯片等
光通信
时间分辨荧光测量
LED/LD时间特性
激光雷达
自由空间光学（FSO）
| 参数项 | N17L10-T46 | N17L30-T46 | N17L30-T18 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 有效感光直径 | 100 | 300 | 300 | 微米（μm） |
| 850nm 波长响应度（最小值 / 典型值） | 0.1/0.2 | 0.1/0.2 | 0.1/0.2 | 安 / 瓦（A/W） |
| 1300nm 波长响应度（最小值 / 典型值） | 0.8/0.9 | 0.8/0.9 | 0.8/0.9 | 安 / 瓦（A/W） |
| 1550nm 波长响应度（典型值） | 0.95 | 0.95 | 0.95 | 安 / 瓦（A/W） |
| 5V 偏压下暗电流（最大值 / 典型值） | 1.0/0.5 | 5.0/1.0 | 5.0/1.0 | 纳安（nA） |
| 5V 偏压下结电容（最大值 / 典型值） | 1.2/1.0 | 8.0/4.0 | 8.0/4.0 | 皮法（pF） |
| 5V 偏压、50Ω 负载下 - 3dB 带宽（最小值） | 3 | 0.8 | 0.8 | 吉赫兹（GHz） |
| 5V 偏压、50Ω 负载下上升 / 下降时间（最大值） | 0.1 | 0.4 | 0.4 | 纳秒（nS） |
| 1550nm 波长下噪声等效功率（典型值） | 13×10⁻¹⁵ | 18×10⁻¹⁵ | 18×10⁻¹⁵ | 瓦 /√赫兹（W/Hz¹ᐟ²） |
| 封装形式 | TO-46 带窗管帽 | TO-46 带窗管帽 | TO-18 带窗管帽 | - |
| 参数项 | N17L10-T46 | N17L30-T46 | N17L30-T18 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 储存温度范围 | -40 至 125 | -40 至 125 | -40 至 125 | 摄氏度（℃） |
| 工作温度范围 | -40 至 85 | -40 至 85 | -40 至 85 | 摄氏度（℃） |
| 反向电压 | 25 | 25 | 25 | 伏特（V） |
| 反向电流 | 10 | 25 | 25 | 毫安（mA） |
| 正向电流 | 10 | 100 | 100 | 毫安（mA） |
我的位置：
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