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德国FEMTO MesstechnikGHz 照片接收器
德国FEMTO MesstechnikGHz 照片接收器

HSPR-X和HSA-X-S系列光电接收机由Si-PIN或InGaAs PIN光电二极管和GHz放大器组成,用于将小光信号转换为相应的输出电压。它们有固定的加固,并且针对最高带宽进行了优化。
Si-PIN 和 InGaAs PIN 光电二极管
光谱范围为320至1700纳米
超宽带,频率范围从10 kHz到2 GHz
最大转换增益 4.75 x 103 V/W
NEP 11 pW/√Hz
光电二极管类型:Si‑PIN(320–1000 nm)、InGaAs‑PIN(900–1700 nm)。
光谱范围:320–1700 nm(硅 / 铟镓砷分段覆盖)。
带宽(−3 dB):10 kHz–2 GHz(硅管 1.4 GHz、铟镓砷管 2 GHz)。
转换增益:最高4.75×10³ V/W(@1550 nm,InGaAs)。
噪声等效功率 NEP:低至11 pW/√Hz(@100 MHz,1550 nm)。
上升时间:最短180 ps(2 GHz 型号)。
输入接口:自由空间(FST)或光纤(FC),探测器孔径 Ø0.1 mm(InGaAs)/ Ø0.4 mm(Si)。
| 模型 | HSA-X-S-1G4-SI-FST HSA-X-S-1G4-SI-FC | HSPR-X-I-1G4-SI-FST HSPR-X-I-1G4-SI-FC | HSA-X-S-2G-IN-FST HSA-X-S-2G-IN-FC | HSPR-X-I-2G-IN-FST HSPR-X-I-2G-IN-FC |
|---|---|---|---|---|
| 输出 | 非反相 | 反相 | 非反相 | 反相 |
| 光电二极管 | Ø 0.4毫米硅-铅 | Ø 0.4毫米硅-铅 | Ø 0.1 mm InGaAs PIN | Ø 0.1 mm InGaAs PIN |
| 光谱范围 | 320 – 1000 nm | 320 – 1000 nm | 900 – 1700 nm | 900 – 1700 nm |
| 带宽(−3 dB) | 10 kHz – 1.4 GHz | 10 kHz – 1.4 GHz | 10 kHz – 2 GHz | 10 kHz – 2 GHz |
| 兴衰时间 (10 % – 90 %) | 250马力 | 250马力 | 180马力 | 180马力 |
| 跨阻抗 | 5 x 103 V/A | 5 x 103 V/A 反相 | 5 x 103 V/A | 5 x 103 V/A 反相 |
| 转换放大 | 2.55 x 103 V/W (@ 760 nm) | 2.55 x 103 V/W (@ 760 nm) | 4.75 x 103 V/W (@ 1550 nm) | 4.75 x 103 V/W (@ 1550 nm) |
| NEP(@ 100 MHz) | 32 pW/√Hz (@ 760 nm) | 19 pW/√Hz (@ 760 nm) | 16 pW/√Hz (@ 1550 nm) | 11 pW/√Hz (@ 1550 nm) |
| 输出驻波比 VSWR | 2,5 : 1 | 1,4 : 1 | 2,5 : 1 | 1,4 : 1 |
| 最大输出电压 @ 50 Ω | 1.9 伏PP | 2.0 伏PP | 1.9 伏PP | 2.0 伏PP |
| 输出噪声 | 3.6mV RMS | 2.5毫伏有效方 | 3.6mV RMS | 2.5毫伏有效方 |