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德国 Sglux 紫外宽带 SiC 雪崩光电二极管 SG02-APD-D5 基于硅晶的雪崩光电二极管（APD） 紫外宽带（UVA+UVB+UVC），具有高辐射抗性的SiC紫外光电二极管芯片（PTB检测） 0.20 平方毫米探测器面积 TO5封装密封，两个绝缘针，一个额外的massepin 最大增益 105
更新时间：2026-05-27
型号：SG02-APD-D5
厂商性质：经销商
浏览量：85
德国 Sglux紫外光电二极管光束带 SG01M-5 紫外光束带（UVA+UVB+UVC） 0.20 平方毫米探测器面积 扁平的TO5封装，密封良好，配有1个绝缘销和1个外壳销，开口角度宽 10 mW/cm² 照射，波段为 280 nm（峰值灵敏度），产生约 3200 nA 电流 具有高辐射阻抗性的SiC紫外光电二极管芯片（被PTB检测到）
更新时间：2026-05-27型号：SG01M-5厂商性质：经销商浏览量：62
德国 Sglux紫外光电二极管紫外宽带 SG01M6H-18 紫外宽带（UVA+UVB+UVC） 6H SiC芯片，具备扩展的UVA灵敏度 0.20 平方毫米探测器面积 TO18封装密封，配有1个绝缘针和1个外壳钉 10 mW/cm² 照射，频率为 290 nm（峰值灵敏度），产生约 3200 nA 电流
更新时间：2026-05-27型号：SG01M6H-18厂商性质：经销商浏览量：51
德国 Sglux紫外光电二极管UVA SG01S-C18ISO90 UVC 0.06 平方毫米探测器面积 TO18封装密封，两个绝缘针，一个额外的质量EPIN 在275纳米（峰值灵敏度）下以10 mW/cm²照射，产生约960 nA电流 具有高辐射阻抗性的SiC紫外光电二极管芯片（被PTB检测到）
更新时间：2026-05-27型号：SG01S-C18ISO90厂商性质：经销商浏览量：54
德国 Sglux紫外光电二极管UVA SG01S-A5 格拉普斯 0.06 平方毫米探测器面积 TO5封装密封，配有1个绝缘针和1个外壳针 10 mW/cm² 照射，波段为331 nm（峰值灵敏度），产生约273 nA电流 具有高辐射阻抗性的SiC紫外光电二极管芯片（被PTB检测到）
更新时间：2026-05-27型号：SG01S-A5厂商性质：经销商浏览量：56
德国 Sglux紫外光电二极管UVA SG01S-A18 格拉普斯 0.06 平方毫米探测器面积 TO18封装密封，配有1个绝缘针和1个外壳钉 10 mW/cm² 照射，波段为331 nm（峰值灵敏度），产生约273 nA电流 具有高辐射阻抗性的SiC紫外光电二极管芯片（被PTB检测到）
更新时间：2026-05-26型号：SG01S-A18厂商性质：经销商浏览量：49
德国 Sglux紫外光电二极管光束带 SG01S-18D 紫外光束带（UVA+UVB+UVC） 0.06 平方毫米探测器面积 配备扩散器 TO18封装密封，配有1个绝缘针和1个外壳钉 10 mW/cm² 在 280 nm（峰值灵敏度）照射，产生约 123 nA 电流 具有高辐射阻抗性的SiC紫外光电二极管芯片（被PTB检测到）
更新时间：2026-05-26型号：SG01S-18D厂商性质：经销商浏览量：47
德国 Sglux紫外光电二极管光束带 SG01S-5 紫外光束带（UVA+UVB+UVC） 0.06 平方毫米探测器面积 扁平的TO5封装，密封良好，配有1个绝缘销和1个外壳销，开口角度宽 10 mW/cm² 照射，波段为 280 nm（峰值灵敏度），产生约 960 nA 电流 具有高辐射阻抗性的SiC紫外光电二极管芯片（被PTB检测到）
更新时间：2026-05-26型号：SG01S-5厂商性质：经销商浏览量：47
德国 Sglux紫外光电二极管紫外宽带 产品型号：SG01S-18ISO90 紫外宽带（覆盖 UVA 长波紫外、UVB 中波紫外、UVC 短波紫外全波段） 探测器有效面积：0.06 平方毫米 TO18 封装、气密封装结构，配置 2 根绝缘针脚 + 1 根额外接地针脚 在 280nm 峰值灵敏度波长、10 mW/cm² 辐照强度的测试条件下，产生约 960 nA 的输出电流采用高抗辐射性能的
更新时间：2026-05-26型号：SG01S-18ISO90厂商性质：经销商浏览量：56
德国 Sglux紫外光电二极管紫外宽带 SG01S-18 紫外宽带（UVA+UVB+UVC） 0.06 平方毫米探测器面积 TO18封装密封，配有1个绝缘针和1个外壳钉 10 mW/cm² 照射，波段为 280 nm（峰值灵敏度），产生约 960 nA 电流 具有高辐射阻抗性的SiC紫外光电二极管芯片（被PTB检测到）
更新时间：2026-05-26型号：SG01S-18厂商性质：经销商浏览量：48
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